갤러리 이슈박스, 최근방문 갤러리
개념글 리스트
1/3
- 스압) 민 vs 하이브 "법정 공판" 정리.....jpg ㅇㅇ
- 냉혹한...장애인은 이용 못 하는..장애인 모범의 세계.jpg 인터네코
- god 데뷔 전 박준형이 만들었던 고추장찌개.jpg ㅇㅇ
- 아파트 주민과 관리사무소 직원이 언쟁을 벌인 이유 ㅇㅇ
- 김계란을 잘 몰랐던 QWER 보컬.jpg ㅇㅇ
TEL 저온식각이 왜 혁명이냐면 (갑자기 초혁신 터졌다는 반도체업계 근황)
저온식각 일명 cryo etching은 201X년대부터 낸드 기술이 2D 한계에 봉착했을 때 꿈의 기술로 각광받았음그런데 일단 초저온 가스인 액화질소나 산소가 비싸고 공정 컨트롤의 난이도(극저온 칠러비용, 가스혼합비 등) 때문에 다들 개발에 성공하지 못했음그 와중에 TEL이 이번에 해당기술 개발에 성공해서 들고나온건데저온식각이 얼마나 쩌는지 알아보자식각 효율을 나타내는 숫자인 Etch Rate(줄여서 E/R)라는게 있음E/R = 식각 깊이(Å)/공정 시간(m)이라 얼마나 깊이 빠르게 식각을 쳐내느냐를 나타내는 E/R은 쓰루풋이 중요한 반도체 공정에서 중요한 숫자임왼쪽 파이차트: 일반 플라즈마 식각 가스 혼합비중간 파이차트: 연구단계의 저온식각 가스 혼합비 (1세대 저온식각)오른쪽 파이차트: TEL에서 완성한 저온식각 공정 장비 가스혼합비일반적인 식각보다 중간으로 가면 E/R이 2배가 되는데TEL은 중간과정보다 E/R 2배의 개쩌는 공정을 개발해냄E/R이 4배라는 말은 이론적으로 일반 낸드식각 공정보다 최대 4배로 빠르게 같은 깊이를 식각할 수 있다 or 같은 시간에 4배 더 깊이 식각 할 수 있다는 의미실제로는 식각 속도는 기존 공정보다 두배 빠르고 식각 깊이를 25% 더 깊게 에칭할 수 있다 하더라TEL의 주장에 따르면 10um 에칭하는데 33분이 소요되었으며 84% 탄소발자국 감소효과가 있었다고 함통상적인 플라즈마 공정은 7-8um 에칭하는데 1시간 남짓 걸림그림으로 보자면낸드가 이렇게 생겼는데 채널이 더 깊고 빨리 파짐 -> 낸드 단수 높히는데 예전에는 플라즈마 써서 고단화에 애 먹었는데 고단화 비교적 난이도 내려갈 예정TEL 자료 10um 뚫은 인증 + 깨끗하게 뚫린 바닥 사진 + 기술 세부자료불화수소 메인이라 탄소가스 사용절감으로 인한 ESG 점수는 덤결국 쓰루풋 포함 생산성 방면에서 저온식각이 고단 낸드 적층시 플라즈마 식각 대비 우위를 점하고 있기 때문에 현재 낸드식각 주류인 플라즈마 식각장비가 메인인 램리서치나 어플라이드는 TEL에게 고적층 낸드로 갈수록 마켓쉐어 많이 내줄 수 밖에 없다고 생각함. 좀더 자세한 이야기는 이 분이 글 잘 써놨더라https://blog.naver.com/timesight/223163209160 극저온 식각(Etching)의 도입 : NAND 식각 시장에서 가져올 큰 변화극저온 식각 장비의 개발 도쿄일렉트론은 23.06.09에 극저온 식각 장비를 공식적으로 발표하였습니다. &quo...blog.naver.com
작성자 : 방자_올돌골고정닉
댓글 영역
획득법
① NFT 발행
작성한 게시물을 NFT로 발행하면 일주일 동안 사용할 수 있습니다. (최초 1회)
② NFT 구매
다른 이용자의 NFT를 구매하면 한 달 동안 사용할 수 있습니다. (구매 시마다 갱신)
사용법
디시콘에서지갑연결시 바로 사용 가능합니다.